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陕西师范大学学报（自然科学版）
专题研究
Au/Si扭转界面能各向异性研究
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辛红1，2，张建民2
(1 西安建筑科技大学 理学院， 陕西 西安 710055；2 陕西师范大学 物理学与信息技术学院， 陕西 西安 710062)
辛红，女，助教，博士研究生，主要从事膜基界面问题研究．
摘要:
采用改进型嵌入原子法（modified embedded atom method, MEAM），计算了(001)Au/(111)Si、(011)Au/(111)Si、(111)Au/(111)Si、(001)Au/(001)Si、(011)Au/(001)Si、(111)Au/(001)Si六个扭转界面的界面能．结果表明，不论是对于(111)Si还是(001)Si基底，相同基底的界面均按照(111)Au/Si、 (001)Au/Si、 (011)Au/Si顺序依次增加；从界面能的最小化考虑，Au在(111)Si或(001)Si基底上的外延生长，Au（111）面为择优晶面，择优扭转角分别为θ=2.68°和θ=2.42°．
关键词：
Au/Si界面； 界面能； 改进型嵌入原子法
收稿日期：
2006-06-15
中图分类号：
O483
文献标识码：
A
文章编号：
1672-4291(2007)02-0031-04
基金项目：
国家自然科学基金资助项目（50271038）
Doi:
Anisotropy analysis of energy in Au/Si twist interface
XIN Hong1,2, ZHANG Jian-min2
(1 College of Science, Xi′an University of Architecture and Technology, Xi′an 710055, Shaanxi, China; 2 College of Physics and Information Technology, Shaanxi Normal University, Xi′an 710062, Shaanxi, China)
Abstract:
The energies in six combinations of (001)Au/(111)Si、 (011)Au/(111)Si、 (111)Au/(111)Si and (001)Au/(001)Si、 (011)Au/(001)Si、 (111)Au/(001)Si twist boundaries have been calculated with modified embedded atom method (MEAM). The results show that the interface energies corresponding to (111)Au/Si、 (001)Au/Si、 (011)Au/Si increase successively regardless of (111)- or (001)- oriented single crystal Si substrate. Considering minimization of interface energy, the Au films deposited on (111)- or (001)- oriented Si substrate will result in a (111) preferable orientation, especially at twist angle θ=2.68° for the former and θ=2.42° for latter.
KeyWords:
Au/Si interface; interface energy; modified embedded atom method (MEAM)

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