基于正交实验法的微电子工艺实验教学研究-陕西师范大学学报期刊社网站

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实验技术与方法

基于正交实验法的微电子工艺实验教学研究

兰馗博1，2，陈昊1，曹荐1，秦志源1，卢建勋1，谢生1，2

（1天津大学微电子学院，天津300072；2天津市成像与感知微电子技术重点实验室，天津300072）

兰馗博（1989—），男，硕士，工程师，主要从事集成电路工艺制备及芯片的失效分析教学与科研工作。

摘要:

为了分析微电子工艺实验教学中多因素对实验结果的影响，提高微电子工艺实验教学的综合性和创新性，利用正交实验及其方差分析的方法，研究了射频功率、工作压强、气体组分及流量配比对硅通孔刻蚀深宽比和刻蚀速率的影响，并采用正交实验，分析了各个因素对实验结果影响的显著性,获得了优化的工艺参数。基于此方法设计的工艺实验教学，提高了教学效率和学生的综合实践能力，达到了新时期培养微电子卓越人才和新工科建设的目标。

关键词：

正交实验；方差分析；刻蚀深宽比；刻蚀速率

中图分类号：

基金项目：

教育部产学合作协同育人项目（项目编号：201801142008）；天津市级大学生创新创业训练计划项目（项目编号：201710056262）；天津大学实验室建设与管理改革项目（项目编号：201611）。